CMOS晶體振蕩器（XO2016）
所屬分類:
? 外部尺寸: 2.0*1.6*0.75mm ? 體積小，可靠性高 ? 寬電源電壓: 1.7-3.6V
寬溫度范圍
超小型化
超低抖動
高穩定性
超高頻
產品詳細信息
特點
• 外部尺寸: 2.0*1.6*0.75mm
• 體積小，可靠性高
• 寬電源電壓: 1.7-3.6V
典型應用
• 廣泛應用于工業通信、導航、雷達等領域
• AEC-Q100&AEC-Q200適用
尺寸
電性能參數
|
技術指標 |
3.3V |
2.5V |
1.8V |
Unit |
||||
|
Min |
Max |
Min |
Max |
Min |
Max |
|||
|
工作電壓 (VDD) |
VDD-5% |
VDD+5% |
VDD-5% |
VDD+5% |
VDD-5% |
VDD+5% |
V |
|
|
輸出頻率 |
1 |
125 |
1 |
125 |
1 |
125 |
MHz |
|
|
輸入電流 |
在15pF負載時 |
- |
25 |
- |
25 |
- |
20 |
mA |
|
無負載時，1MHz≤ fo<10MHz |
- |
1.0 |
- |
1.0 |
- |
0.75 |
mA |
|
|
無負載時，10MHz ≤ fo<20MHz |
- |
1.0 |
- |
1.0 |
- |
0.75 |
mA |
|
|
無負載時，20MHz ≤ fo<80MHz |
- |
1.3 |
- |
1.3 |
- |
1.0 |
mA |
|
|
無負載時，80MHz ≤ fo<125MHz |
- |
6 |
- |
6 |
- |
3 |
mA |
|
|
占空比 |
45 |
55 |
45 |
55 |
45 |
55 |
% |
|
|
輸出電平 |
輸出高電平 |
2.97 |
- |
2.25 |
- |
1.62 |
- |
V |
|
輸出低電平 |
- |
0.33 |
- |
0.25 |
- |
0.18 |
||
|
過渡時間: 上升/下降時間 |
1.25MHz ≤ Fo<10MHz |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
nSec |
|
10MHz ≤ Fo<20MHz |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
nSec |
|
|
20MHz ≤ Fo<80MHz |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
nSec |
|
|
啟動時間 |
- |
4 |
- |
5 |
- |
6 |
mSec |
|
|
三態 |
啟用(高電平或者懸空) |
0.7VDD |
- |
0.7VDD |
- |
0.7VDD |
- |
V |
|
禁用(低電平或接地) |
- |
0.3VDD |
- |
0.3VDD |
- |
0.3VDD |
||
|
輸出負載 |
15 |
15 |
15 |
pF |
||||
|
待機電流 |
- |
100 |
- |
100 |
- |
100 |
uA |
|
|
老化率 (@ 25 °C，第一年) |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
- |
± 3 |
ppm |
|
|
存儲溫度 |
-55 |
125 |
-55 |
125 |
-55 |
125 |
℃ |
|
|
抖動 (峰峰值) |
- |
40 |
- |
40 |
- |
40 |
pSec |
|
|
相位抖動均方根 (12KHz ~ 20MHZ） |
- |
40 |
- |
40 |
- |
40 |
pSec |
|
頻率穩定度vs.溫度范圍
|
溫度 (℃) / ppm |
± 20 |
± 25 |
± 50 |
|
-10 ~ 60 |
? |
? |
? |
|
-20 ~ 70 |
? |
? |
? |
|
-40 ~ 85 |
▲ |
? |
? |
|
-40 ~ 125 |
? |
? |
? |
?: 可提供 ▲: 有條件下提供 ?: 不可提供
注意: 并非所有選項組合都可提供。其他規格可根據要求提供，規格如有更改，怒不另行通知。
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