CMOS晶體振蕩器（XO2520）
所屬分類:
? 外形尺寸2.5*2.0*0.9mm ? 體積小、可靠性高 ? 寬電源電壓:1.7-3.6V ? 工作溫度范圍:-40~+125℃
寬溫度范圍
超小型化
超低抖動
高穩(wěn)定性
超高頻
產(chǎn)品詳細信息
特征
• 外形尺寸2.5*2.0*0.9mm
• 體積小、可靠性高
• 寬電源電壓:1.7-3.6V
• 工作溫度范圍:-40~+125℃
典型應(yīng)用
• 可廣泛應(yīng)用于工業(yè)通訊、導(dǎo)航、雷達等領(lǐng)域
• AEC-Q100 &AEC-Q200適用
尺寸
電性能參數(shù)
| 技術(shù)指標(biāo) | 3.3V | 2.5V | 1.8V | Unit. | ||||
| Min. | Max. | Min. | Max. | Min. | Max. | |||
| 工作電壓(VDD) | VDD-5% | VDD+5% | VDD-5% | VDD+5% | VDD-5% | VDD+5% | V | |
| 輸出頻率 | 1 | 125 | 1 | 125 | 1 | 125 | MHz | |
| 輸入電流 | 在15pF負載時 | - | 25 | - | 25 | - | 20 | mA |
| 無負載時,1MHz≤F。<10MHz | - | 1.0 | - | 1.0 | - | 0.75 | mA | |
| 無負載時,10MHz≤F。<20MHz | - | 1.0 | - | 1.0 | - | 0.75 | mA | |
| 無負載時,20MHz≤F。<80MHz | - | 1.3 | - | 1.3 | - | 1.0 | mA | |
| 無負載時,80MHz≤F。<125MHz | - | 6 | - | 6 | - | 3 | mA | |
| 占空比 | 45 | 55 | 45 | 55 | 45 | 55 | %6 | |
| 輸出電平 | 輸出高電平 | 2.97 | - | 2.25 | - | 1.62 | - | V |
| 輸出低電平 | - | 0.33 | - | 0.25 | - | 0.18 | ||
|
轉(zhuǎn)換時間: 上升/下降時間+ |
1.25MHz≤F。<10MHz | - | 4 | - | 5 | - | 6 | nSec |
| 10MHz≤F。<20MHz | - | 4 | - | 5 | - | 6 | nSec | |
| 20MHz≤F。<80MHz | - | 4 | - | 5 | - | 6 | nSec | |
| 啟動時間 | - | 5 | - | 5 | - | 5 | mSec | |
|
三態(tài)
(接Pin1) |
啟用(高電平或者懸空) | 0.7VDD | - | 0.7VDD | - | 0.7VDD | - | V |
| 禁用(低電平或接地) | - | 0.3VDD | - | 0.3VDD | - | 0.3VDD | ||
| 輸出負載 | 1 | 5 | 1 | 5 | 1 | 5 | PF | |
| 待機電流 | - | 100 | - | 100 | - | 100 | uA | |
| 老化率(@25℃,第一年) | - | ±3 | - | ±3 | - | ±3 | ppm | |
| 存儲溫度 | -55 | 125 | -55 | 125 | -55 | 125 | ℃ | |
| 抖動(峰峰值) | - | 40 | - | 40 | - | 40 | pSec | |
| 相位抖動均方根(12KHz~20MHz) | - | 1 | - | 1 | - | 1 | pSec | |
標(biāo)準頻率是指晶體設(shè)計的頻率,并不表示存貨狀況。
+轉(zhuǎn)換時間是在電源電壓10%-90%變化范圍內(nèi)測量的。
頻率穩(wěn)定度vs.溫度范圍
|
溫度 (℃) / ppm |
± 20 |
± 25 |
± 50 |
|
-10 ~ +60 |
? |
? |
? |
|
-20 ~ +70 |
? |
? |
? |
|
-40 ~+85 |
▲ |
? |
? |
|
-40 ~ +125 |
X |
X |
? |
?: 可提供 ▲: 有條件下提供 ?: 不可提供
* 包括校準 @ 25 ° c，工作溫度范圍，輸入電壓變化，負載變化，老化 (第一年)，沖擊和振動條件下校準。
注意:并非所有選項組合都可提供。
其他規(guī)格可根據(jù)要求提供，規(guī)格如有更改編輯。
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